v 應(yīng)用方向：高質(zhì)量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅，用于光子學(xué)、電介質(zhì)層、鈍化以及諸多其它用途；用于高亮度LED生產(chǎn)的硬掩模沉積和刻蝕

v 電阻絲加熱電極，溫度可達(dá)400°C或1200°C

v 實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)清洗工藝， 并且可自動(dòng)停止工藝

v 晶圓可達(dá)200mm，可快速更換硬件以適用于不同尺寸的晶圓

v 高導(dǎo)通的徑向（軸對(duì)稱）抽氣結(jié)構(gòu)：確保提升了工藝均勻性和速率

v 增加了<500毫秒的數(shù)據(jù)記錄功能：可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

v 通過前端軟件進(jìn)行設(shè)備故障診斷，故障診斷速度快

v 用干涉法進(jìn)行激光終點(diǎn)監(jiān)測(cè)：在透明材料的反射面上測(cè)量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界

v 用發(fā)射光譜（OES）實(shí)現(xiàn)較大樣品或批量工藝的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)：監(jiān)測(cè)刻蝕副產(chǎn)物或反應(yīng)氣體的消耗量的變化，以及用于腔室清洗的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)